可分离多层GaN衬底及其分离方法、半导体芯片制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种可分离多层GaN衬底的分离方法，将可分离多层GaN衬底浸入腐蚀液中，使氮化物牺牲层浸没于所述腐蚀液中；提供一光源，该光源向可分离多层GaN衬底照射一光束，所述光束透过所述GaN基层在所述氮化物牺牲层上形成光斑；移动光斑，使得该光斑的移动轨迹满足从所述氮化物牺牲层的边缘往中心靠拢；其中，所述光源的光具有大于所述氮化物牺牲层带隙并小于所述GaN基层和GaN功能层带隙的能量，且所述光斑的移动速度满足被该光斑照射的氮化物牺牲层区域能被所述腐蚀液腐蚀。分离后的GaN基层可以反复利用，极大地降低了GaN器件的制作成本。
基本信息
专利标题 ：
可分离多层GaN衬底及其分离方法、半导体芯片制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334607A
申请号 ：
CN202111482182.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
聂恒亮徐琳苏克勇陈吉湖
申请人 ：
苏州纳维科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室
代理机构 ：
杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵杰香
优先权 ：
CN202111482182.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211207
申请日 : 20211207
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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