一种芯片衬底电位隔离电路
专利权的终止
摘要

一种芯片衬底电位隔离电路,包括输入检测端子,其特征在于它还包括芯片衬底、电压箝位电路和限流电路;其中,输入检测端子通过电压箝位电路和限流电路连接到芯片的衬底上。本实用新型的优越性和特点在于:整个芯片的衬底是作为芯片的一个非电源和地的输入输出端子独立使用,衬底电压发生变化的时候,芯片仍能正常工作,一般的芯片的衬底是接在地或者电源的,实现了用一般的工艺能生产对工艺有特殊要求的芯片产品,从而降低了生产成本。

基本信息
专利标题 :
一种芯片衬底电位隔离电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720097112.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-08-20
授权号 :
CN201146193Y
授权日 :
2008-11-05
发明人 :
戴宇杰张小兴吕英杰王洪来黄维海
申请人 :
天津南大强芯半导体芯片设计有限公司
申请人地址 :
300457天津市开发区宏达街23号泰达学院五区四楼
代理机构 :
国嘉律师事务所
代理人 :
王里歌
优先权 :
CN200720097112.9
主分类号 :
H01L27/092
IPC分类号 :
H01L27/092  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2015-10-14 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101628724018
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL2007200971129
申请日 : 20070820
授权公告日 : 20081105
终止日期 : 20140820
2010-08-11 :
文件的公告送达
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003923066
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL2007200971129
专利申请号 : 2007200971129
收件人 : 王里歌
文件名称 : 手续合格通知书
2008-11-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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