一种用于PMOS管的衬底电位选择电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于PMOS管的衬底电位选择电路，属于电子领域。用于PMOS管的衬底电位选择电路可以在芯片正常工作时，输入电源(第一电源)电位高于输出电源(第二电源)电位，第二PMOS管导通，第三PMOS管关断，衬底电位选择为输入电源的电位。当芯片输入电源异常掉电时，输入电源电位低于输出电源电位，第二PMOS管关断，第三PMOS管导通，衬底电位选择为输出电源的电位。避免芯片异常掉电时PMOS管漏端寄生二极管正向导通产生的反向漏电流。用于PMOS管的衬底电位选择电路可以替换掉肖特基二极管，使PMOS管的衬底电位始终为芯片中的最高电位，消除了反向漏电流的消除了反向漏电流。
基本信息
专利标题 ：
一种用于PMOS管的衬底电位选择电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021195331.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-24
授权号 ：
CN212305284U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
周威威尹喜珍
申请人 ：
上海芯跳科技有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区七莘路889号2幢
代理机构 ：
上海融力天闻律师事务所
代理人 ：
张一超
优先权 ：
CN202021195331.2
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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