一种射频芯片的衬底隔离结构

授权

摘要

本申请公开一种射频芯片的衬底隔离结构。该衬底隔离结构的一侧端上配置有衬底底盘，所述衬底底盘的外侧依次间隔的配置有Ptap保护环、Ntap保护环及deep trench保护环，所述Ptap保护环以及Ntap保护环连接GND端，所述衬底底盘用于配置被保护电路。通过这样的设计，首先经过ptap区域，通过低阻的Ptap保护环、Ntap保护环的路径，将噪声快速吸收转移到GND中进而将噪声泄放,同时通过配置于最外侧的deep trench(即高阻隔离墙)保护环，加大了噪声源与被保护电路之间的通路阻值，防止噪声进入，有效地降低高频噪声对周围器件的影响，做到更好的隔离。

基本信息

专利标题：

一种射频芯片的衬底隔离结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021058349.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-10

授权号：

CN211828775U

授权日：

2020-10-30

发明人：

张智向祥林

申请人：

苏州芈图光电技术有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市中国(苏州)自由贸易试验区苏州片区苏州市工业园区星湖街328号创意产业园五栋B501

代理机构：

苏州智品专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

唐学青

优先权：

CN202021058349.8

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06