记忆胞及其制造方法、记忆胞数组及记忆胞的操作方法
授权
摘要
一种相变记忆胞的制作方法。相变内存单元的一个接触的剖面面积会受下电极的宽度与暴露的长度影响，本方法可以制作非常小的相变记忆胞。
基本信息
专利标题 ：
记忆胞及其制造方法、记忆胞数组及记忆胞的操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819295A
申请号 ：
CN200510097480.9
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龙翔澜
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510097480.9
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24 H01L21/82
相关图片
法律状态
2009-04-22 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100481553C.PDF
PDF下载
2、
CN1819295A.PDF
PDF下载
