多阶氮化硅只读记忆胞的程序化方法
专利权的终止
摘要
一种在氮化硅只读记忆胞(nitride read－onlymemory cell)程序化数据区(data region)的方法。在已抹除状态下(erased state)，氮化硅只读记忆胞展示一低临界电压(threshold voltage)Vt值。要被程序化到最高临界电压Vt值的数据区，首先被程序化。氮化硅只读记忆胞中剩下的数据区，按照它们临界电压Vt值递减的次序，先后被程序化。对这样一个氮化硅只读记忆胞，即在已抹除状态下，展示一高临界电压Vt值的，其要被程序化到最低临界电压Vt值的数据区，首先被程序化，余下的数据区，按照它们临界电压Vt值递增的次序，先后被程序化。
基本信息
专利标题 ：
多阶氮化硅只读记忆胞的程序化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822232A
申请号 ：
CN200510097482.8
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龙翔澜吴昭谊
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510097482.8
主分类号 ：
G11C16/10
IPC分类号 ：
G11C16/10 G11C16/14 G11C16/04 G11C16/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
法律状态
2020-12-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G11C 16/10
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20191228
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20191228
2009-03-18 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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