半导体组件的球栅数组金属球制造方法
专利权的终止
摘要
本发明半导体组件的球栅数组金属球制造方法，其包括下列步骤：提供一半导体组件，其设有复数个电极；提供一治具于该半导体组件上，该治具位于该复数个电极位置形成有透孔；以网印方式将锡膏涂布于该治具上，使锡膏落入该透孔内，并以刮刀自治具10表面刮除露出的锡膏18；及将半导体组件经过回焊炉，使锡膏熔融，冷却后即于该半导体组件上形成球栅数组金属球。
基本信息
专利标题 ：
半导体组件的球栅数组金属球制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1959935A
申请号 ：
CN200510118602.8
公开（公告）日 ：
2007-05-09
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张鸿租白忠巧龙港文林仕祥龙昌宏
申请人 ：
胜开科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周国城
优先权 ：
CN200510118602.8
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/48 H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2016-12-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101692430746
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL2005101186028
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20081231
终止日期 : 20151031
号牌文件序号 : 101692430746
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL2005101186028
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20081231
终止日期 : 20151031
2008-12-31 ：
授权
2007-07-04 ：
实质审查的生效
2007-05-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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