具有消反射电介质的集成电路电容器
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种电容器(100)，其作为集成电路制造工艺的部分形成。电容器有导电的顶电极和底电极(140，144)和不导电的电容器电介质(142)。在一个示例中，该电介质包括第一和第二薄介电层(112，114)，其中间夹有消反射材料层(118)。除了其它方面，这些薄层提供电容器必须的介电性能，同时通过减轻反射的驻波，消反射层促进特征结构尺寸的减小。
基本信息
专利标题 ：
具有消反射电介质的集成电路电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101563772A
申请号 ：
CN200680015968.5
公开（公告）日 ：
2009-10-21
申请日 ：
2006-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
B·A·沃福德B·R·帕斯克X·陈B·胡
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵蓉民
优先权 ：
CN200680015968.5
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2011-07-13 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101114489853
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利申请号 : 2006800159685
公开日 : 20091021
号牌文件序号 : 101114489853
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利申请号 : 2006800159685
公开日 : 20091021
2009-12-16 ：
实质审查的生效
2009-10-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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