电介质膜及其形成方法
专利权的终止
摘要
一种电介质膜，通过使处于Si3≡N结合状态的N以3原子％以上的浓度存在于氧化膜的表面侧上，并以0.1原子％以下的浓度存在于界面侧上，可以同时达到防止B扩散和NBTI耐性劣化的目的。在使用Ar/N2游离基氮化的情况下，难以使处于上述结合状态的N浓度同时满足在表面侧达到3原子％以上，在界面侧达到0.1原子％以下，但通过对Xe/N2、Kr/N2、Ar/NH3、Xe/NH3、Kr/NH3、Ar/N2/H2、Xe/N2/H2、Kr/N2/H2的任意一种气体进行组合使用，可以实现上述的N浓度分布。
基本信息
专利标题 ：
电介质膜及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101120437A
申请号 ：
CN200680003184.0
公开（公告）日 ：
2008-02-06
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大见忠弘寺本章伸后藤哲也河濑和雅
申请人 ：
国立大学法人东北大学
申请人地址 ：
日本国宫城县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200680003184.0
主分类号 ：
H01L21/318
IPC分类号 ：
H01L21/318 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/318
由氮化物组成的无机层
法律状态
2015-03-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101601596283
IPC(主分类) : H01L 21/318
专利号 : ZL2006800031840
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20100519
终止日期 : 20140120
号牌文件序号 : 101601596283
IPC(主分类) : H01L 21/318
专利号 : ZL2006800031840
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20100519
终止日期 : 20140120
2010-05-19 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2008-02-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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