使用高介电常数电介质层的量子阱晶体管
专利权的终止
摘要
可以利用置换金属栅极法来形成量子阱晶体管或高电子迁移率晶体管。可以利用虚拟栅极来定义侧壁间隔物和源漏接触金属。可以移除虚拟栅极，并利用剩余结构作为掩模来蚀刻掺杂层以形成与所述开口自对准的源极和漏极。高介电常数材料可以涂覆所述开口的侧面，然后可以沉积金属栅极。结果，源极和漏极得以与金属栅极自对准。此外，金属栅极通过该高介电常数材料而与下面的阻挡层隔离。
基本信息
专利标题 ：
使用高介电常数电介质层的量子阱晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133498A
申请号 ：
CN200680006840.2
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2006-01-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·达塔J·布拉斯克J·卡瓦利洛斯M·梅茨M·多茨R·曹
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
曾祥夌
优先权 ：
CN200680006840.2
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/338
法律状态
2019-12-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20060103
授权公告日 : 20130327
终止日期 : 20190103
申请日 : 20060103
授权公告日 : 20130327
终止日期 : 20190103
2013-03-27 ：
授权
2008-04-23 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
