双大马士革结构成形方法
公开
摘要
本发明提供的涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种双大马士革结构成形方法，包括如下步骤：在介质层上设置一层光刻胶层，在该光刻胶层上设置阻挡层，在该阻挡层上设置另一层光刻胶层，两层所述光刻胶层采用不同的显影技术；对其中一层所述光刻胶层曝光处理，并在曝光后的该光刻胶层和所述阻挡层上显影成像；对另一层所述光刻胶层曝光处理，并在曝光后的该另一层光刻胶层上显影成像。在上述技术方案中，该双大马士革结构成形方法是连续进行两次光刻工艺，光刻工艺后仅需要在进行一次刻蚀工艺即可，减少了操作的步骤，有效降低了产出和设备投资费用，降低了成本。
基本信息
专利标题 ：
双大马士革结构成形方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566427A
申请号 ：
CN202011355394.4
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
南兑浩李大烨贺晓彬丁明正刘强杨涛
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011355394.4
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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