一种带有TSV通孔束的封装结构和3DIC芯片封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种带有TSV通孔束的封装结构，包括：第一电接触部；第二电接触部；功能层，其布置在第一电接触部与第二电接触部之间；以及TSV通孔束，其具有多个具有第一尺寸的第一TSV通孔，所述多个第一TSV通孔贯穿所述功能层以用于将第一电接触部与第二电接触部彼此电连接，其中所述多个第一TSV通孔被布置为使得它们共同形成具有第二尺寸的TSV通孔，其中第一尺寸小于第二尺寸。该封装结构采用TSV通孔束可以加增大电流传输时的横截面积，有效降低TSV通孔的电阻，进而优化整个供电网络，还可以降低应力，进而降低产品失效的风险，还可以扩宽了信号的传输通道，可以有效的保证信号传输质量，提高产品可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种带有TSV通孔束的封装结构和3DIC芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123286028.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
CN216698354U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
樊嘉祺孙鹏徐成
申请人 ：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
代理机构 ：
上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张东梅
优先权 ：
CN202123286028.0
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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