一种GaN微波单片集成电路的晶圆级封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种GaN微波单片集成电路的晶圆级封装结构，涉及芯片生产技术领域。包括晶圆底板以及在晶圆底板顶部等距阵列设置的多个芯片结构，所述芯片结构包括芯片集成电路，所述芯片集成电路的外部包裹有树脂保护层，所述树脂保护层的外部包覆有蒸发玻璃保护层，所述晶圆底板的背面固定连接有芯片电极，所述芯片电极与芯片集成电路电性连接。本实用新型通过GaN微波单片集成电路芯片结构的设计，其可先对GaN微波单片集成电路的晶圆上的芯片的封装，然后再进行切割，从而形成具有封装外壳的芯片集成电路，使得芯片拥有了封装外壳，其优点主要体现在降低了GaN微波单片集成电路的生产成本，同时实现晶圆级封装后，其体积较为微小。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN微波单片集成电路的晶圆级封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122930693.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
CN216648279U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
王静辉黎荣林崔健郭跃伟段磊闫志峰
申请人 ：
河北博威集成电路有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市鹿泉区开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
河北智酷知创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
武哲
优先权 ：
CN202122930693.2
主分类号 ：
H01L23/28
IPC分类号 ：
H01L23/28 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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