粉体及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明涉及一种粉体及其制备方法。上述粉体的制备方法在锂金属板的第一侧面设置遮盖板,透过遮盖板上的微孔在锂金属板上刻蚀出多个微坑,再在遮盖板上沉积制粉原料,其中部分制粉原料透过微孔沉积于微坑中,此时每个微坑中形成有一个粉体颗粒,取下遮盖板后,将填充有粉体颗粒的填充锂板置于水中,金属锂会与水反应而变形,使得粉体颗粒脱出,从而能够将粉体颗粒从水中收集。上述制备方法中形成有微坑的锂金属板相当于粉体颗粒的模具,微坑是透过遮盖板上的微孔对锂金属板的第一侧面进行刻蚀处理形成,如此,能够形状及尺寸均一程度高的微坑,从而在每个微坑中形成的粉体颗粒形状及尺寸均一性良好。

基本信息
专利标题 :
粉体及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114262866A
申请号 :
CN202111568612.7
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2021-12-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
谭志
申请人 :
武汉中维创发工业研究院有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区关山大道473号光谷新发展国际中心写字楼B座第5、6层05-108室
代理机构 :
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
林晓欣
优先权 :
CN202111568612.7
主分类号 :
C23C14/02
IPC分类号 :
C23C14/02  C23C14/04  C23C14/22  C23C14/24  C23C14/35  C23C16/01  C23C16/02  C23C16/04  C23C16/44  C01B33/021  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/02
待镀材料的预处理
法律状态
2022-04-19 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/02
申请日 : 20211221
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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