掩膜及其制造方法及其应用
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摘要

一种掩膜及其制造方法及其应用,其具有一透明基板、一半穿透层以及一膜层。其中,透明基板中至少包括一第一区、一第二区以及一第三区;半穿透层覆盖于透明基板的第二区及第三区,且暴露出第一区;而膜层覆盖位于第三区的半穿透层上,以使第三区的透光率低于第二区的透光率。上述的半穿透层与膜层可由相位偏移薄膜制作而成,以形成相位偏移掩膜。此外,本发明也提出多种掩膜的制作方法,以形成具有上述结构的掩膜。本发明的掩膜制作方法是采用剥离工艺,以简化相位偏移掩膜的工艺,并且可避免已知技术中因刻蚀不均而造成相位偏移薄膜厚度不均匀的情形。

基本信息
专利标题 :
掩膜及其制造方法及其应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1808267A
申请号 :
CN200610007373.7
公开(公告)日 :
2006-07-26
申请日 :
2006-02-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
董畯豪
申请人 :
广辉电子股份有限公司
申请人地址 :
台湾省桃园县
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
任默闻
优先权 :
CN200610007373.7
主分类号 :
G03F1/00
IPC分类号 :
G03F1/00  G03F7/20  G02F1/1333  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
法律状态
2010-12-01 :
授权
2007-12-26 :
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 广辉电子股份有限公司
变更后权利人 : 友达光电股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 台湾省桃园县
变更后权利人 : 台湾省新竹市
登记生效日 : 20071123
2006-09-20 :
实质审查的生效
2006-07-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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