相移空白掩膜及其制造方法
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摘要
根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜，该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层，其中相移膜仅含有硅(Si)，或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成，由此提供了这样的空白掩膜和光掩膜，其耐曝光光线的耐曝光性和耐化学品清洁的耐化学品性优异，能够精确地控制图案的CD，并延长了光掩膜的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
相移空白掩膜及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108957941A
申请号 ：
CN201810477224.X
公开（公告）日 ：
2018-12-07
申请日 ：
2018-05-18
授权号 ：
CN108957941B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
南基守申澈李钟华梁澈圭申升协公拮寓
申请人 ：
思而施技术株式会社
申请人地址 ：
韩国大邱广域市
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
樊晓焕
优先权 ：
CN201810477224.X
主分类号 ：
G03F1/26
IPC分类号 ：
G03F1/26
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/26
相移掩膜；PSM空白；其制备
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-01-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/26
申请日 : 20180518
申请日 : 20180518
2018-12-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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