低压电可编程序只读存储器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
描述了一种改进了的EEPROM元件，它更适宜于制造高密度器件。单个元件包括一个浮置栅，它是通过沟道注入充入电荷而通过隧道卸去电荷的，漏区是精确定位的，且此源区薄一些。在n-沟道装置中，n型杂质和P型杂质都用来形成源区和漏区，然后对源区进行第三次掺入杂质。
基本信息
专利标题 ：
低压电可编程序只读存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85104497A
申请号 ：
CN85104497.2
公开（公告）日 ：
1986-07-23
申请日 ：
1985-06-12
授权号 ：
CN1004738B
授权日 ：
1989-07-05
发明人 ：
斯蒂芬
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
李先春
优先权 ：
CN85104497.2
主分类号 ：
H01L29/76
IPC分类号 ：
H01L29/76 H01L27/08 G11C11/40
相关图片
法律状态
1993-04-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-04-04 ：
授权
1989-07-05 ：
审定
1988-03-02 ：
实质审查请求
1987-11-11 ：
实质审查请求
1986-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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