读操作电路和半导体存储器

授权

摘要

本申请实施例至少提供一种读操作电路和半导体存储器。该读操作电路包括：数据判断模块，从存储块中读出读取数据，并根据读取数据中为低的数据的位数，确定是否翻转读取数据，以输出供全局总线传输的全局总线数据和供翻转标识信号线传输的翻转标识数据；数据接收模块，根据翻转标识数据，确定是否翻转全局总线数据，以输出缓存数据；并串转换电路，对缓存数据进行并串转换，以生成DQ端口的输出数据；预充电模块，将全局总线的初始态设置为高。本申请实施例的技术方案可以实现在Precharg上拉架构的全局总线上传输“1”的数据较多，从而可以减少内部全局总线翻转次数，大幅压缩电流，降低功耗。

基本信息

专利标题：

读操作电路和半导体存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921804775.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-10-25

授权号：

CN210667808U

授权日：

2020-06-02

发明人：

张良

申请人：

长鑫存储技术（上海）有限公司

申请人地址：

上海市长宁区虹桥路1438号1幢801、802、805单元(名义楼层9层)

代理机构：

北京市铸成律师事务所

代理人：

包莉莉

优先权：

CN201921804775.9

主分类号：

G11C11/4096

IPC分类号：

G11C11/4096 G11C11/4093