一种改进存储器单元编程的工艺
授权
摘要
本发明提供在半导体底材表面上利用浅沟槽绝缘(shallow trench isolation，STI)结构来凸伸一阶梯高度，以使彼此绝缘的制造方法。而此方法包含在半导体底材及结构的表面上形成牺牲层(sacrificial layer)；接着回蚀位于至少一个结构上的一部分牺牲层，再部分回蚀此至少一个结构，以降低在半导体底材表面上的结构所凸伸的阶梯高度，并移除相邻结构间的残余牺牲层。此方法可用于制造包括已增进可靠度的存储器单元的半导体元件。
基本信息
专利标题 ：
一种改进存储器单元编程的工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828869A
申请号 ：
CN200610001346.9
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘世昌朱文定辜建铭罗际兴蔡嘉雄谢佳达
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛平
优先权 ：
CN200610001346.9
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2008-01-16 ：
授权
2006-12-20 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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