管理与存储器子系统的存储器单元相关联的编程收敛
公开
摘要
本申请涉及管理与存储器子系统的存储器单元相关联的编程收敛。使得将第一编程脉冲施加到与存储器子系统的存储器单元相关联的字线。响应于第一编程脉冲，使得将执行程序验证操作以确定与所述存储器单元相关联的测量到的阈值电压。将与所述存储器单元相关联的所述测量到的阈值电压存储在感测节点中。作出所述存储器单元的所述测量到的阈值电压满足条件的确定并且识别存储在所述感测节点中的所述测量到的阈值电压。使得将与所述测量到的阈值电压匹配的位线电压施加到与所述存储器单元相关联的位线。
基本信息
专利标题 ：
管理与存储器子系统的存储器单元相关联的编程收敛
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613414A
申请号 ：
CN202111493017.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐峻V·莫斯基亚诺E·E·于
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111493017.1
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34 G11C16/24 G11C16/08 G11C16/10 G11C7/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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