存储器系统及其编程方法
授权
摘要
本申请提供一种存储器的系统及编程方法。存储器的每个字线连接多个存储单元，多个存储单元包括第一存储单元和除了所述第一存储单元的第二存储单元，编程方法包括：执行第1级编程，以将第一存储单元的阈值电压编程至大于等于第一存储单元的最终验证电压，将第二存储单元的阈值电压编程至大于等于第一级中间验证电压，其中，存储单元的第一级中间验证电压小于最终验证电压，第一存储单元的阈值电压大于第二存储单元的阈值电压；以及执行第N级编程，将多个第二存储单元的阈值电压配置为大于等于最终验证电压，其中N≥2。
基本信息
专利标题 ：
存储器系统及其编程方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113284541A
申请号 ：
CN202110671777.0
公开（公告）日 ：
2021-08-20
申请日 ：
2021-06-17
授权号 ：
CN113284541B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
董志鹏李海波
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴京顺
优先权 ：
CN202110671777.0
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34 G11C8/08 G11C7/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-09-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/34
申请日 : 20210617
申请日 : 20210617
2021-08-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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