可编程相变存储器及其方法

发明专利申请公布后的驳回

摘要

公开了一种非易失性存储器。设置有相变材料的邻接层(21；31；61；81)。邻近该相变材料的邻接层(21；31；61；71；81)设置有第一对触点(22；32；62；72；82)用于在二者之间提供电流，该电流流经相变材料的邻接层(21；31；61；71；81)，用于在第一区域内导致其加热。并且，该邻接层附近设置有第二对触点，设置成在二者之间提供电流，该电流流经相变材料的邻接层(21；31；61；71；81)，用于在其第二区域内导致加热，第二区域与第一区域不同。

基本信息

专利标题：

可编程相变存储器及其方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101185167A

申请号：

CN200580047954.7

公开（公告）日：

2008-05-21

申请日：

2005-12-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

汉斯·波依尼克·兰伯特维克托·范阿赫特卡伦·阿藤伯勒

申请人：

NXP股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈瑞丰

优先权：

CN200580047954.7

主分类号：

H01L27/24

IPC分类号：

H01L27/24