具有多面结构的非易失性存储器件的编程方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

一种用于执行非易失性存储器件的编程操作的方法包括：将第一、第二、第三和第四数据依次分别加载到第一、第二、第三和第四页缓冲器；在将第二数据加载到第二缓冲器的同时，将加载到第一页缓冲器上的第一数据编程到第一页中；以及在将第一数据编程到第一页中的同时，将加载到第二页缓冲器上的第二数据编程到第二页中。

基本信息

专利标题：

具有多面结构的非易失性存储器件的编程方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1933025A

申请号：

CN200510137555.1

公开（公告）日：

2007-03-21

申请日：

2005-12-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

张丞镐杨中燮

申请人：

海力士半导体有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

黄小临

优先权：

CN200510137555.1

主分类号：

G11C16/06

IPC分类号：

G11C16/06 G11C16/10 G11C7/00 G06F12/00

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C16/06

辅助电路，例如：用于写入存储器的

法律状态

2010-08-25 ：

发明专利申请公布后的视为撤回

号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101006987460
IPC(主分类) : G11C 16/06
专利申请号 : 2005101375551
公开日 : 20070321

2007-05-16 ：

实质审查的生效

2007-03-21 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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