具有一致编程速度的非易失性存储设备

专利权的终止

摘要

本发明提供一种具有一单元串结构的闪存设备。根据本发明，将连接至一第一字线的第一组存储器单元及连接至一最后字线的第二组存储器单元的大小形成为大于分别连接至除该第一及该最后字线之外的剩余字线的第三组存储器单元的大小。因此，可改善该第一及该第二组存储器单元的编程速度。

基本信息

专利标题：

具有一致编程速度的非易失性存储设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1858857A

申请号：

CN200610009245.6

公开（公告）日：

2006-11-08

申请日：

2006-02-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朴熙植

申请人：

海力士半导体有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

黄小临

优先权：

CN200610009245.6

主分类号：

G11C16/10

IPC分类号：

G11C16/10

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C16/00

可擦除可编程序只读存储器

G11C16/02

电可编程序的

G11C16/04

使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS

G11C16/10

编程或数据输入电路

法律状态

2018-03-06 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G11C 16/10
申请日 : 20060215
授权公告日 : 20100414
终止日期 : 20170215

2010-04-14 ：

授权

2007-01-03 ：

实质审查的生效

2006-11-08 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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