非易失存储器和其驱动方法

专利权的终止

摘要

为了增加两位存储非易失存储器单元的编程状态对擦除状态的单元电流比和减小功耗，MONOS型存储器单元的编程状态是将电子注入接近漏极或源极结边缘的ONO膜的两个局部区域的状态，擦除状态是将注入接近漏极或源极结边缘的ONO膜的两个局部区域的电子中和或将空穴注入的状态，以及将读出偏置为线性区。因为注入到源极侧的电荷抑止了形成导电沟道所需的电子载流子的引入且注入到漏极侧的电荷限制了接近漏极侧形成导电沟道，所以可以抑止编程状态中的单元电流。因此，可以减小读电流，可以提高单元电流比，而且，可以增加读操作的容限。

基本信息

专利标题：

非易失存储器和其驱动方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1832037A

申请号：

CN200610059507.X

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2006-03-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

冨田泰弘

申请人：

松下电器产业株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610059507.X

主分类号：

G11C11/56

IPC分类号：

G11C11/56 G11C11/34 G11C16/04 G11C16/10 G11C16/26