堆积式体结构的半导体存储器件和驱动该器件字线的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
公开了一种具有堆积式体结构的半导体存储器件，该结构能够对应于存储体选择地激活耦合到存储单元的字线。该半导体存储器件包括存储体组和解码单元。每个存储体组包括多个以堆积式体结构排列的存储体。解码单元在输出使能信号的控制下，响应于外部地址信号而产生解码的行地址信号，以分别地选择一个存储体。因此，该具有堆积式体结构的半导体存储器件具有较低的功耗和抗噪声地稳定操作，所述结构能够对应于存储体选择地激活耦合到存储单元的字线。
基本信息
专利标题 ：
堆积式体结构的半导体存储器件和驱动该器件字线的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790541A
申请号 ：
CN200510119954.5
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵英喆
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200510119954.5
主分类号 ：
G11C8/06
IPC分类号 ：
G11C8/06 G11C8/08 G11C8/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C8/06
地址接口装置，例如：地址缓冲器
法律状态
2008-05-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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