半导体存储器件

专利权的终止

摘要

一种半导体存储器件(1)具有：字驱动器(20)，用于将驱动电压(VXPG_ij)施加到与存储单元相连的字线(SX)；以及内部电源电路(30)，用于将所述驱动电压(VXPG_ij)提供给所述字驱动器(20)，并且将衬底电压(VXPG_i)施加到字驱动器(20)中包括的晶体管(41，42，51)的背栅(41b，42b，51b)。内部电源电路(30)彼此独立地控制驱动电压(VXPG_ij)和衬底电压(VXPG_i)。

基本信息

专利标题：

半导体存储器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1801397A

申请号：

CN200510126719.0

公开（公告）日：

2006-07-12

申请日：

2005-11-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

菅原宽渡边一央

申请人：

恩益禧电子股份有限公司

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏

优先权：

CN200510126719.0

主分类号：

G11C11/407

IPC分类号：

G11C11/407 G11C11/417 G11C16/06 G11C8/00

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C11/08

应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板

G11C11/21

应用电元件的

G11C11/34

应用半导体器件的

G11C11/40

应用晶体管的

G11C11/401

形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的

G11C11/4063

辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的

G11C11/407

用于场效应型存储单元的

法律状态

2014-12-31 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101594120162
IPC(主分类) : G11C 11/407
专利号 : ZL2005101267190
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20090826
终止日期 : 20131117

2010-12-22 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件序号 : 101055586978
IPC(主分类) : G11C 11/407
专利号 : ZL2005101267190
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
号牌文件类型代码 : 1602

2009-08-26 ：

授权

2006-09-06 ：

实质审查的生效

2006-07-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载