用于产生高电压的方法和电路以及相关的半导体存储器件
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摘要
用于产生用于编程非易失性存储器的编程电压的方法包括：产生初始电压，并且响应于初始电压而产生第一斜坡变化电压。第一斜坡变化电压的斜坡变化速度比初始电压的慢。响应于第一斜坡变化电压产生第二斜坡变化电压。第二斜坡变化电压的斜坡变化速度比第一斜坡变化电压的慢。第二斜坡变化电压被输出为用于编程非易失性存储器件的编程电压。编程电压产生电路包括：编程电压产生单元，用于产生初始电压；斜坡变化电路，用于响应于初始电压产生第一斜坡变化电压；电压控制单元，用于产生具有较低波纹的第二斜坡变化电压，并响应于第一斜坡变化电压的电平而输出第一斜坡变化电压或第二斜坡变化电压。还公开了包括编程电压产生电路的半导体存储器件。
基本信息
专利标题 ：
用于产生高电压的方法和电路以及相关的半导体存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832034A
申请号 ：
CN200510136190.0
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡东赫林瀛湖
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200510136190.0
主分类号 ：
G11C11/407
IPC分类号 ：
G11C11/407 G11C11/417 G11C16/06 G11C5/00 G11C5/14 G11C7/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
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G11C11/34
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G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
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G11C11/4063
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G11C11/407
用于场效应型存储单元的
法律状态
2012-01-04 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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