具有边缘垫优化的列选择架构
公开
摘要
本申请涉及具有边缘垫优化的列选择器架构。提出了一种存储器垫架构，其中列解码器安置在存储器阵列内。所述列解码器的位置减小所述列解码器与目标存储器单元之间的距离，并因此减小列选择信号从所述列解码器行进到所述目标存储器单元的距离。单个预解码器安置在所述存储器阵列的组控制器中。所述列解码器可安置在所述存储器阵列的中间或从靠近与所述组控制器相对的所述存储器阵列的远边缘的中间偏移。所述列解码器的位置实现从所述目标存储器单元获得数据的减少的阵列存取时间。
基本信息
专利标题 ：
具有边缘垫优化的列选择架构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429772A
申请号 ：
CN202110863521.X
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-07-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何源赤松宏
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202110863521.X
主分类号 ：
G11C11/4074
IPC分类号 ：
G11C11/4074 G11C11/4076 G11C11/408 G11C11/4091 G11C11/4093
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/4074
电源或电压发生电路，例如，偏置电压发生器、衬底片电压发生器、后备电源、电源控制电路
法律状态
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
