在半导体存储器件中产生提升电压的电路和方法

专利权的终止

摘要

在半导体存储器件的提升电压产生电路中，有源突跳器驱动信号产生电路响应行激活命令产生具有第一脉冲持续时间的有源突跳器驱动信号并响应刷新命令产生具有第二脉冲持续时间的有源突跳器驱动信号。有源突跳器电路响应有源突跳器驱动信号来产生提升电压。第二脉冲持续时间可以大于第一脉冲持续时间，从而可以改善刷新操作中提升电压的泵激效率。

基本信息

专利标题：

在半导体存储器件中产生提升电压的电路和方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1838314A

申请号：

CN200610051303.1

公开（公告）日：

2006-09-27

申请日：

2006-01-05

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

张寿凤金致旭

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

吕晓章

优先权：

CN200610051303.1

主分类号：

G11C11/401

IPC分类号：

G11C11/401 G11C11/4074 G11C7/00 H02M3/04

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C11/08

应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板

G11C11/21

应用电元件的

G11C11/34

应用半导体器件的

G11C11/40

应用晶体管的

G11C11/401

形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的

法律状态

2012-03-14 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101201710450
IPC(主分类) : G11C 11/401
专利号 : ZL2006100513031
申请日 : 20060105
授权公告日 : 20091014
终止日期 : 20110105

2009-10-14 ：

授权

2008-02-13 ：

实质审查的生效

2006-09-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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