半导体存储器件

专利权的终止

摘要

一种半导体存储器，包括一由双极晶体管构成的电流驱动晶体管，其连接到相应的位线以增加位线电流。该电流驱动晶体管的收集极由一个接地的阱构成，基极由二个相邻选行晶体管的公共漏区构成。其发射极是一与第一层间隔离层及第二层间隔离层分开排列的多晶硅层，它通过接触孔同时被接到基区和位线。该发射极是形成在作为二个相邻选行晶体管公共漏区的基区中的一个掺杂区。这种存储器件具有提高运行速度和提高集成度的能力。

基本信息

专利标题：

半导体存储器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1095188A

申请号：

CN94102636.1

公开（公告）日：

1994-11-16

申请日：

1994-03-04

授权号：

CN1036231C

授权日：

1997-10-22

发明人：

崔正达徐康德

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

优先权：

CN94102636.1

主分类号：

H01L27/102

IPC分类号：

H01L27/102 H01L27/105 H01L27/11 H01L27/10 G11C11/34

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/10

在重复结构中包括有多个独立组件的

H01L27/102

包含双极型组件的

法律状态

2014-04-16 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101581485076
IPC(主分类) : H01L 27/102
专利号 : ZL941026361
申请日 : 19940304
授权公告日 : 19971022
期满终止日期 : 20140304

1997-10-22 ：

授权

1996-08-28 ：

实质审查请求的生效

1994-11-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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