双极器件中恢复热载流子引起的退化的方法
专利权的终止
摘要

提供一种恢复由雪崩热载流子造成的退化的方法,包括使呈现雪崩退化的空闲的双极晶体管经过热退火步骤,所述热退火步骤升高所述晶体管的温度从而恢复双极晶体管的雪崩退化。在一个实施例中,退火源是其为与双极晶体管的发射极并排设置的含Si电阻器的自加热结构。在恢复步骤期间,将包括自加热结构的双极晶体管设置为空闲模式(即无偏置)并且来自单独电路的电流流过自加热结构。在本发明的另一实施例中,退火步骤是在双极晶体管在未达到雪崩条件(VCB小于1V)的条件下工作的同时向其提供高正向电流(约为峰值fT电流或更高)的结果。在以上条件下,可以恢复退化的约40%或更高。在本发明的另一实施例中,热退火步骤包括快速热退火(RTA)、炉退火、激光退火或峰值退火。

基本信息
专利标题 :
双极器件中恢复热载流子引起的退化的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101073149A
申请号 :
CN200580041988.5
公开(公告)日 :
2007-11-14
申请日 :
2005-12-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
F·瓜里恩J·E·小霍斯特泰S·E·劳赫三世王平川Z·J·杨
申请人 :
国际商业机器公司
申请人地址 :
美国纽约
代理机构 :
北京市中咨律师事务所
代理人 :
于静
优先权 :
CN200580041988.5
主分类号 :
H01L21/337
IPC分类号 :
H01L21/337  H01L21/8238  H01L21/8249  H01L21/331  H01L21/8222  H01L27/082  H01L27/102  H01L29/70  H01L31/11  
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IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/337
带有PN结栅的
法律状态
2019-11-22 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/337
申请日 : 20051208
授权公告日 : 20110420
终止日期 : 20181208
2017-03-29 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101749031958
IPC(主分类) : H01L 21/337
专利号 : ZL2005800419885
登记生效日 : 20170307
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 超科技公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
2011-04-20 :
授权
2008-01-09 :
实质审查的生效
2007-11-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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