LDMOS器件、抑制热载流子效应所导致LDMOS器件退化...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种LDMOS器件、抑制热载流子效应所导致LDMOS器件退化的方法。所述方法包括至少调整所述LDMOS器件的沟道掺杂区的掺杂分布，使所述LDMOS器件的半导体结构层内形成沟道价带能带的能谷，并使电子位于所述能谷内，从而在所述LDMOS器件的半导体结构层与栅氧化层之间形成势垒，所述势垒至少能够阻止电子轰击所述半导体结构层与栅氧化层的界面。本发明提供的方法能够提高热载流子注入效应的极限，使器件的导通电阻降低50％，饱和电流提升105％。
基本信息
专利标题 ：
LDMOS器件、抑制热载流子效应所导致LDMOS器件退化的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551579A
申请号 ：
CN202011336847.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
莫海锋
申请人 ：
苏州华太电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
赵世发
优先权 ：
CN202011336847.9
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/78
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/10
申请日 : 20201125
申请日 : 20201125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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