一种器件沟道载流子平均自由程检测方法及系统
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种器件沟道载流子平均自由程检测方法及系统。本发明涉及一种确定沟道中载流子平均自由程的方法，包括利用C‑V曲线计算得到施主浓度，在器件电极施加偏置电压得到热点产生的临界电压Vc，基于临界电压Vc与施主浓度ND求出耗尽区临界场强；利用光谱仪测得器件所产生热点的电致发光光谱，求出光谱的特征峰能量；基于耗尽区临界场强和光谱特征峰能量求出载流子平均自由程。本发明结合光学和电学的手段确定了沟道中载流子平均自由程，对研究材料和器件的物理特性具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
一种器件沟道载流子平均自由程检测方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114414976A
申请号 ：
CN202210056687.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈雷雷闫大为顾晓峰
申请人 ：
无锡芯鉴半导体技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区净慧东道66号4号楼4708室
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
殷海霞
优先权 ：
CN202210056687.5
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01N21/65
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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