热载流子注入型单像素光电探测器件、制备方法及系统
公开
摘要
本发明公开了热载流子注入型单像素光电探测器件、制备方法及系统。所述方法包括：在衬底表面沉积金属，并退火形成金属纳米颗粒；采用化学气相沉积法在金属纳米颗粒表面形成二维半导体层，形成陡峭且具有清洁界面的金属‑半导体肖特基异质结；在所述半导体层上制备栅极、栅介质层、源级和漏极，得到所述热载流子注入型单像素光电探测器件。本发明中形成了具有清洁界面的金属‑半导体肖特基异质结，在光照下，金属纳米颗粒的局域表面等离激元发生非辐射衰减产生热载流子，越过金属‑半导体之间的肖特基势垒注入半导体，实现热载流子皮秒级别的超快传输和对入射光的超快响应；可实现超快响应速度、宽光谱、低成本的单像素光电成像。
基本信息
专利标题 ：
热载流子注入型单像素光电探测器件、制备方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300578A
申请号 ：
CN202111622924.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李渊刘然刘盛洪李少华翟天佑
申请人 ：
华中科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
华中科技大学专利中心
代理人 ：
许恒恒
优先权 ：
CN202111622924.1
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 B82Y20/00 B82Y40/00 C23C16/30 C23C16/44 H01L31/108
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
