基于浮置环的多像素自由运行单光子探测器及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于浮置环的多像素自由运行单光子探测器及制备方法，包括外延片、形成于所述外延片上像素单元、形成于所述外延片上且与所述像素单元电连接的P电极以及形成于所述外延片底部的N电极；所述像素单元包括一形成于所述外延片内的有源区以及一形成于所述外延片内且环绕所述有源区设置的浮置环，所述P电极对应形成于所述有源区的上表面且与所述有源区和浮置环的一端均电连接；通过在单光子探测器上集成有源区和围绕有源区设置的浮置环，在抑制边缘击穿效应的同时获得自淬灭结构，且二者均采用闭管或MOCVD工艺实现，二者工艺兼容、易于实现。
基本信息
专利标题 ：
基于浮置环的多像素自由运行单光子探测器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388632A
申请号 ：
CN202210030908.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
敖天宏崔大健柳聪张承
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请人地址 ：
重庆市南岸区南坪花园路14号
代理机构 ：
重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张丽楠
优先权 ：
CN202210030908.1
主分类号 ：
H01L31/02
IPC分类号 ：
H01L31/02 H01L31/0224 H01L31/107 H01L31/18
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/02
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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