一种光电子注入型X射线探测器件及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种光电子注入型X射线探测器件，包括衬底、栅电极、栅绝缘层、沟道半导体层、源电极、漏电极、源电极隔离层、漏电极隔离层、X射线光电导层、上电极及保护层，所述上电极与X射线光电导层的接触为欧姆接触或肖特基接触。本发明还公开了该光电子注入型X射线探测器的制备方法。本发明的光电子注入型X射线探测器件通过采用纵向堆叠的器件结构设计，采用高迁移率沟道半导体材料和高灵敏度X射线光电导材料，能够实现高灵敏度快速X射线探测，该器件同时具有传感器、放大器和开关的功能，将其应用于X射线探测和成像中能够有效提高平板X探测器的响应速度和灵敏性，实现快速高分辨率X射线成像。
基本信息
专利标题 ：
一种光电子注入型X射线探测器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109273555A
申请号 ：
CN201811094472.2
公开（公告）日 ：
2019-01-25
申请日 ：
2018-09-19
授权号 ：
CN109273555B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
王凯徐杨兵陈军
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 ：
广州新诺专利商标事务所有限公司
代理人 ：
林玉芳
优先权 ：
CN201811094472.2
主分类号 ：
H01L31/115
IPC分类号 ：
H01L31/115 H01L31/18
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-02-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/115
申请日 : 20180919
申请日 : 20180919
2019-01-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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