基于漂浮电极的硅像素探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于漂浮电极的硅像素探测器，所述硅像素探测器包括长方体状的硅基体，硅基体顶面中间设有收集阴极，收集阴极外侧的硅基体顶面设有第一漂浮电极环和第二漂浮电极环，收集阴极顶面设有金属铝，收集阴极外侧的硅基体顶面、第一漂浮电极环顶面和第二漂浮电极环顶面均设有二氧化硅层，硅基体底面依次设有阳极层和金属铝；所述硅像素探测器内部的电势分布均匀，死区面积小，电荷收集效率和探测效率较高，收集阴极的表面积较小，硅像素探测器的输入电容降低、噪声减小，分辨率较高。
基本信息
专利标题 ：
基于漂浮电极的硅像素探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021517270.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-28
授权号 ：
CN212257400U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
伍朝晟李正肖永光
申请人 ：
湘潭大学
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区北二环湘潭大学
代理机构 ：
长沙新裕知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘加
优先权 ：
CN202021517270.7
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L27/02
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法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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