一种扇形交替式硅像素探测器
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型公开了一种扇形交替式硅像素探测器，包括n型硅基底，n型硅基底为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面，其上表面设置有P+收集面；P+收集面由p+型中心像素单元和等间隔设置在p+型中心像素单元径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心像素单元位于P+收集面的中心位置，每个扇形区域由多个从内向外交替设置的p+型像素单元A和p+型像素单元B组成，所有扇形区域的同一位置处的p+型像素单元A和p+型像素单元B等间隔交替设置形成一个p+型像素环，共形成多个同心的p+型像素环，且p+型像素环的数量与每个扇形区域包含的p+型像素单元A和p+型像素单元B的总数相等，制备工艺简单、成品率高、成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种扇形交替式硅像素探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021472865.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-23
授权号 ：
CN212542438U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
李正熊波
申请人 ：
湖南正芯微电子探测器有限公司
申请人地址 ：
湖南省湘潭市岳塘区创新创业园C区4栋4楼
代理机构 ：
长沙新裕知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘加
优先权 ：
CN202021472865.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L27/148
法律状态
2022-02-25 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/146
登记生效日 : 20220215
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 湖南正芯微电子探测器有限公司
变更后权利人 : 湖南脉探芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 411100 湖南省湘潭市岳塘区创新创业园C区4栋4楼
变更后权利人 : 410205 湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1689号综合楼101三楼310办公室
登记生效日 : 20220215
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 湖南正芯微电子探测器有限公司
变更后权利人 : 湖南脉探芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 411100 湖南省湘潭市岳塘区创新创业园C区4栋4楼
变更后权利人 : 410205 湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1689号综合楼101三楼310办公室
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212542438U.PDF
PDF下载
