一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开了一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器,梳状硅像素探测器为采用梳状硅像素探测单元组成的梳状硅像素探测单元阵列。梳状硅像素探测单元包括硅基体,硅基体顶面生成有二氧化硅层,二氧化硅层内刻蚀有P+阴极,硅基体的底面刻蚀有n+阳极;P+阴极由第一梳状阴极和第二梳状阴极组成,第一梳状阴极和第二梳状阴极由一个L型阴极以及位于L型阴极内并与其连接的多个条型阴极组成,两者的L型阴极相距一定距离相对设置,两者的多个条型阴极相互平行交叉设置,且第一梳状阴极的L型阴极不与第二梳状阴极的条型阴极连接,其条型阴极不与第二梳状阴极的L型阴极连接。实现了硅像素探测器的空间二维位置分辨,分辨率高、工艺简单。

基本信息
专利标题 :
一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021495440.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-23
授权号 :
CN212323002U
授权日 :
2021-01-08
发明人 :
李正李玉云
申请人 :
湖南正芯微电子探测器有限公司
申请人地址 :
湖南省湘潭市岳塘区创新创业园C区4栋4楼
代理机构 :
长沙新裕知识产权代理有限公司
代理人 :
刘加
优先权 :
CN202021495440.6
主分类号 :
H01L27/146
IPC分类号 :
H01L27/146  
法律状态
2022-05-10 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/146
登记生效日 : 20220426
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 湖南脉探芯半导体科技有限公司
变更后权利人 : 湖南正芯微电子探测器有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 410205 湖南省长沙市开发区岳麓西大道1689号综合楼101三楼310办公室
变更后权利人 : 411104 湖南省湘潭市高新区双拥路9号创新创业园C区10栋4楼
2022-03-01 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/146
登记生效日 : 20220216
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 湖南正芯微电子探测器有限公司
变更后权利人 : 湖南脉探芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 411100 湖南省湘潭市岳塘区创新创业园C区4栋4楼
变更后权利人 : 410205 湖南省长沙市开发区岳麓西大道1689号综合楼101三楼310办公室
2021-01-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332