一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型公开了一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器，多像素超小电容X射线探测单元，包括n型硅基体，其顶面设有P+阴极，底面设有n+阳极；n型硅基体的顶面设有第一二氧化硅矩形框，第一二氧化硅矩形框内设有第二二氧化硅矩形框，两者间形成第一P+重掺杂离子注入区，第二二氧化硅矩形框内形成第二P+重掺杂离子注入区，第二二氧化硅矩形框上形成连通第一P+重掺杂离子注入区和第二P+重掺杂离子注入区形成P+阴极的缺口，缺口为第三P+重掺杂离子注入区，第二P+重掺杂离子注入区上镀设有阴极铝层。一种多像素超小电容X射线探测器，由多个上述所述的多像素超小电容x射线探测单元呈阵列分布组成，电极面积和电容值小。

基本信息

专利标题：

一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021694270.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-14

授权号：

CN212380427U

授权日：

2021-01-19

发明人：

李正唐立鹏

申请人：

湖南正芯微电子探测器有限公司

申请人地址：

湖南省湘潭市岳塘区创新创业园C区4栋4楼

代理机构：

长沙新裕知识产权代理有限公司

代理人：

刘加

优先权：

CN202021694270.4

主分类号：

H01L31/0224

IPC分类号：

H01L31/0224 H01L31/0352 H01L31/118 H01L27/144

法律状态

2022-04-15 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 31/0224
登记生效日 : 20220406
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 湖南脉探芯半导体科技有限公司
变更后权利人 : 湖南正芯微电子探测器有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 410205 湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1689号综合楼101三楼310办公室
变更后权利人 : 411104 湖南省湘潭市高新区双拥路9号创新创业园C区10栋4楼

2022-02-15 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 31/0224
登记生效日 : 20220128
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 湖南正芯微电子探测器有限公司
变更后权利人 : 湖南脉探芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 411100 湖南省湘潭市岳塘区创新创业园C区4栋4楼
变更后权利人 : 410205 湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1689号综合楼101三楼310办公室

2021-01-19 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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