硅三维沟槽电极探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅三维沟槽电极探测器，其结构包括二氧化硅保护层，所述二氧化硅保护层上依次设有硅基体和外围电极，所述外围电极为中空的直六棱柱状，所述硅基体包括基体部分和嵌套部分，所述基体部分的横截面尺寸与二氧化硅保护层的相同，所述嵌套部分的一半横截面尺寸与二氧化硅保护层的相同，另一半为半腰圆形，内嵌在外围电极内，所述外围电极内还设有中心电极，外围电极与中心电极间、外围电极与嵌套部分间填充有隔离硅体；本实用新型的内部电势分布均匀，响应时间短，电荷收集效率、抗辐射性能均有所提高。
基本信息
专利标题 ：
硅三维沟槽电极探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122667267.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-02
授权号 ：
CN216209942U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
刘美萍唐勇何鑫潘雪洋刘文富
申请人 ：
黄淮学院
申请人地址 ：
河南省驻马店市驿城区黄淮学院
代理机构 ：
苏州拓云知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王云峰
优先权 ：
CN202122667267.4
主分类号 ：
G01V3/00
IPC分类号 ：
G01V3/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01V
地球物理；重力测量；物质或物体的探测；示踪物
G01V3/00
电或磁的勘探或探测；；地磁场特性的测量；例如，磁偏角或磁偏差
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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