一种带有沟槽电极的高压二极管
授权
摘要
本实用新型提供一种带有沟槽电极的高压二极管。本实用新型通过在有源区引入沟槽结构并在沟槽侧壁形成肖特基接触阳极，在保证高反向击穿电压和低漏电流的情况下，增大正向导通时的电流密度，大大降低了产品成本。
基本信息
专利标题 ：
一种带有沟槽电极的高压二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920939612.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-21
授权号 ：
CN209912876U
授权日 ：
2020-01-07
发明人 ：
黄兴陈欣璐
申请人 ：
派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢（北）三楼D3204室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920939612.5
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L29/417
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法律状态
2020-01-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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