一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片
授权
摘要
一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片，包括硅片衬底，其上表面通过杂质掺杂形成有相互间隔的N+区及P+区，且N+区或P+区的边缘区域开有沟槽；硅片衬底上表面于N+区及P+区的周边区域以及沟槽的表面覆盖有多晶硅钝化复合薄膜层；沟槽中还填充有玻璃胶，并通过高温烧结形成玻璃钝化层；N+区及P+区的表面均沉积有金属层形成金属电极。本实用新型的电极同侧，体积小、成本低、降功耗且电性能优异。
基本信息
专利标题 ：
一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920611265.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN210182392U
授权日 ：
2020-03-24
发明人 ：
吴念博
申请人 ：
苏州固锝电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN201920611265.3
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06 H01L21/329 H01L23/367 H01L23/373 H01L23/31 H01L21/228 H01L23/29
法律状态
2020-03-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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