一种新型沟槽IGBT芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型沟槽IGBT芯片，包括集电极，集电极上设置有P+集电极区，P+集电极区上设置有N型衬底，N型衬底上设置有N‑场截止层，N‑场截止层上设置有P基区，P基区上设置有P+欧姆接触区，P+欧姆接触区上设置有发射极，P基区和P+欧姆接触区上均设置有N+型源区，N‑场截止层、P基区以及N+型源区上均设置有沟槽，沟槽内设置有栅氧化层，栅氧化层内设置有栅极，发射极与N+型源区、栅氧化层和栅极之间设置有夹层。该新型沟槽IGBT芯片，通过沟槽栅结构结合N型衬底、N‑场截止层和发射极为纵向分布结构，使得总耗能更低，开关行为更加轻柔，并且整体体型也变小，减少占用面积。
基本信息
专利标题 ：
一种新型沟槽IGBT芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922047732.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN210743951U
授权日 ：
2020-06-12
发明人 ：
周炳赵承杰许新佳
申请人 ：
张家港意发功率半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港经济开发区(国泰北路1号留学生创业园)
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
王丽
优先权 ：
CN201922047732.7
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739
法律状态
2020-06-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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