一种适用于深沟槽蚀刻的芯片制作工艺
实质审查的生效
摘要
一种适用于深沟槽蚀刻的芯片制作工艺。涉及一种半导体功率器件芯片加工领域，尤其涉及一种深沟槽蚀刻GPP芯片的沟槽湿法腐蚀工艺。包括以下步骤：1）扩散：在晶片表面沉积一层磷和硼，形成P+‑N‑N+结构；2）选择性光刻：将晶片区域化成晶粒，并在晶粒表面将待蚀刻的区域暴露出来，其它区域用光阻剂保护；3）沟槽蚀刻：3.1）采用KOH腐蚀液对暴露出来的硅进行湿法腐蚀；3.2）采用混酸对蚀刻道硅进行二次腐蚀；4）玻璃钝化；5）LTO：采用LPCVD在晶片表面沉积一层LTO膜；6）选择性光刻：通过光刻的方法将晶粒台面氧化膜去除；7）金属化：通过化学镀或蒸镀的方法，在晶片表面形成电极；完成。本发明减少作业时间，提升设备产能。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于深沟槽蚀刻的芯片制作工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267584A
申请号 ：
CN202111582594.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔丹丹裘立强王毅
申请人 ：
扬州杰利半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区维扬经济开发区创业园中路26号
代理机构 ：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
葛军
优先权 ：
CN202111582594.8
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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