集成芯片及其制作工艺
授权
摘要
本发明提供了一种集成芯片及其制作工艺，包括以下步骤：将第一芯片倒装在第一基板上，并与第一基板电连接；向第一基板上注塑改性塑料以形成第一塑封件，用第一塑封件对第一芯片进行封装；在第一塑封件与第一芯片的管脚对应的位置处开设过孔；向过孔内填充导电体，以使第一芯片的管脚与第一塑封件的表面连接；通过激光使第一塑封件的表面活化，以形成导电层；通过化镀工艺在第一塑封件的表面形成电路层，电路层与导电层连接。本发明技术方案通过将第一塑封件的表面活化，并在第一塑封件上开设过孔以及电路层，从而使第一芯片上的管脚能够通过过孔与电路层连接，从而减少转接板的使用，简化了结构，提高集成度。
基本信息
专利标题 ：
集成芯片及其制作工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111755346A
申请号 ：
CN202010618543.5
公开（公告）日 ：
2020-10-09
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN111755346B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
陈建超于上家
申请人 ：
青岛歌尔微电子研究院有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市崂山区松岭路396号106室
代理机构 ：
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人 ：
关向兰
优先权 ：
CN202010618543.5
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31 H01L23/538 H01L25/065
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-10-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20200630
申请日 : 20200630
2020-10-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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