一种微电极芯片制作工艺
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摘要

本发明公开了一种微电极芯片制作工艺,包括制作微电极模板和微流道模板;利用高分子聚合物材料软刻蚀制作具有微电极流道的微电极基片和具有微流道的微流道基片;使用能增加微电极基片与熔融合金之间的粘合性的表面处理液对微电极基片上的微电极流道进行表面处理,采用熔融合金的方法浇筑微电极,获得具有微电极的微电极基片;将具有微电极的微电极基片和微流道基片进行键合处理制得微电极芯片,微电极完全或部分位于微流道中。该工艺对微电极流道进行表面处理,改变了微电极流道表面的性能,增加了微电极流道与合金之间的粘合性,提高了制备微电极的成功率,保证了微电极的质量。

基本信息
专利标题 :
一种微电极芯片制作工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110449194A
申请号 :
CN201910837400.0
公开(公告)日 :
2019-11-15
申请日 :
2019-09-05
授权号 :
CN110449194B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
李姗姗邢奔程娥李军委
申请人 :
河北工业大学
申请人地址 :
天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#
代理机构 :
天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
付长杰
优先权 :
CN201910837400.0
主分类号 :
B01L3/00
IPC分类号 :
B01L3/00  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01L
通用化学或物理实验室设备
B01L3/00
实验室用的容器或器皿,如实验室玻璃仪器;点滴器
法律状态
2022-04-01 :
授权
2019-12-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B01L 3/00
申请日 : 20190905
2019-11-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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