一种大功率LED芯片的制作工艺及LED芯片
授权
摘要
本发明公开了一种大功率LED芯片的制作工艺及LED芯片，包括依次制作外延片、第一电流扩展层、反射层、第二电流扩展层、阻挡层、钝化层、金属层、P电极与N电极：其中第二电流扩展层的制作包括，先沉积一层第二电流扩展层并制作图形化的光刻胶层；然后对第二电流扩展层进行干法刻蚀，以形成与光刻胶层对应的图形化的第二电流扩展层，第二电流扩展层将位于芯片中P电极周围r1范围内的区域和位于P电极r2范围外的区域进行连续覆盖，其中，R表示P电极与芯片边缘的最远距离。该图形化的第二电流扩展层，可以将P电极附近的区域与P电极较远的区域进行连续覆盖，将电流从高浓度区域向低浓度区域扩展，使电流更加均匀。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率LED芯片的制作工艺及LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112271241A
申请号 ：
CN202011184449.X
公开（公告）日 ：
2021-01-26
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN112271241B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
徐晓丽刘芳孙雷蒙杨丹
申请人 ：
华引芯（武汉）科技有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来城龙山创新园一期A5北区4栋7层701单元706室
代理机构 ：
杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宇娟
优先权 ：
CN202011184449.X
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/36 H01L33/00
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-02-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/44
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2021-01-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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