一种采用印刷工艺制作GPP芯片的方法
授权
摘要
本发明涉及一种采用印刷工艺制作GPP芯片的方法，制备步骤包括硅片预处理，扩散制绒，玻钝印刷制图，金属化和测试分选，其中扩散步骤采用硅磷一次性负压扩散，并采用湿法制绒，玻钝过程采用印刷的方式进行保护层和玻璃桨的涂布，简化了玻钝过程，增加了制备速率。与传统方法比较，印刷工艺制作GPP芯片生产过程规模化、自动化、信息化、少人化；GPP芯片产品生产成本低、品质高、一致性高、市场兼容性好；印刷工艺效率高、精度高，替代现有工艺流程中涂覆、镀膜、电泳等工艺，实现自动化少人化生产的同时，提升产品一致性，降低环保、安全风险。
基本信息
专利标题 ：
一种采用印刷工艺制作GPP芯片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109309001A
申请号 ：
CN201710615726.X
公开（公告）日 ：
2019-02-05
申请日 ：
2017-07-26
授权号 ：
CN109309001B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
徐长坡王彦君孙晨光陈澄武卫梁效峰李亚哲黄志焕王晓捧王宏宇王鹏徐艳超杨玉聪张庆东
申请人 ：
天津环鑫科技发展有限公司
申请人地址 ：
天津市西青区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201710615726.X
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-03-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20170726
申请日 : 20170726
2019-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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